Uštedi 5%
Molimo da se ulogujete da bi Vas mogli obavestiti o odgovoru
Brand / Proizvođač:
SAMSUNG
Težina:
9 kg
BrzinaČitanja:
Naziv: 7450 MB/s
BrzinaPisanja:
Naziv: 6900 MB/s
DDRKeš:
Naziv: 1024MB
Dimenzije:
Širina: 80 mm; Dubina: 2.3 mm; Visina: 22 mm
Format:
Naziv: M.2
Interfejs:
Naziv: PCI Express 4.0
Kapacitet:
Naziv: 1000GB
MTBF:
Naziv: 1500000 č
NasumicnoCitanje:
Naziv: 1200000 IOPS
NasumicnoPisanje:
Naziv: 1550000 IOPS
OperativnaVoltaža:
Naziv: 3.3V
PotrošnjaEnergijeMaks:
Naziv: 7.8W
PotrošnjaEnergijeProsečna:
Naziv: 5.4W
SigurnosniAlgoritmi:
Naziv: 256-bit AES
TrakePodataka:
Naziv: x4
VerzijaNVMe:
Naziv: 2.0
VrstaMemorije:
Naziv: V-NAND MLC
Memorija - Maksimalna Ukupna Memorija:
1 TB
Menadžment potrošnje
Operativna voltaža:
3.3V
Potrošnja energija (prosečna):
5.4W
Potrošnja energije (maks.):
7.8W
Težina i dimenzije
Dubina:
2.3 mm
Širina:
80 mm
Visina:
22 mm
Karakteristike
Broj eksternih DDR kešova:
1024MB
Brzina čitanja:
7450 MB/s
Brzina pisanja:
6900 MB/s
Format:
SSD M.2
Interfejs:
PCI Express 4.0
Kapacitet:
1000GB
Nasumično čitanje (4KB):
1200000 IOPS
Nasumično pisanje (4KB):
1550000 IOPS
Podržani sigurnosni algoritmi:
256-bit AES
Prosečno vreme između dva kvara:
1500000 č
Trake za podatke PCI Express interfejsa:
x4
Verzija NVM Express (NVMe):
2.0
Vrsta memorije:
V-NAND MLC
Deklaracija
EAN / Barkod:
8806094215021
| Karakteristike |
Format SSD M.2 SSD kapacitet : 1000GB Interfejs : PCI Express 4.0 Vrsta memorije : V-NAND MLC Verzija NVM Express (NVMe) : 2.0 Podržani sigurnosni algoritmi : 256-bit AES Brzina čitanja : 7450 MB/s Brzina pisanja : 6900 MB/s Nasumično čitanje (4KB) : 1200000 IOPS Nasumično pisanje (4KB) : 1550000 IOPS Trake za podatke PCI Express interfejsa : x4 Broj eksternih DDR keševa : 1024MB Prosečno vreme između dva kvara : 1500000 č |
| Menadžment potrošnje |
Operativna voltaža : 3.3V Potrošnja energije (maks.) : 7.8W Potrošnja energija (prosečna) : 5.4W |
| Težina i dimenzije |
Širina : 80 mm Dubina : 2.3 mm Visina : 22 mm Težina : 9kg |
